تحسين عوامل التحكم لجهد العتبة وتيار التسرب في ترانزستورات PMOS بحجم 32 نانومتر باستخدام طريقة تاغوتشي. مجلة ليبيا للعلوم التطبيقية والتقنية, [S. l.], v. 12, n. 1, p. 82–91, 2024. Disponível em: https://ljast.ly/ojs3504/index.php/ljast/article/view/6. Acesso em: 15 يونيو. 2026.